一、半導(dǎo)體
物體視其導(dǎo)電能力的不同分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體。
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，且隨外界條件而顯著變化的物體稱(chēng)之為半導(dǎo)體。
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，且隨外界條件而顯著變化的物體稱(chēng)之為半導(dǎo)體。
二、半導(dǎo)體的特性——三個(gè)特性
光敏特性； 熱敏特性； 雜敏特性（最突出的特點(diǎn)）
三、三種半導(dǎo)體
(一)本征半導(dǎo)體：非常純凈不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體
當(dāng)受到光照或加熱時(shí)，共價(jià)鍵中少數(shù)電子獲得足夠的能量跳出共價(jià)鍵成為自由電子，由光或熱激發(fā)的電子與空穴成對(duì)產(chǎn)生。電子帶負(fù)電，空穴帶正電，由于它們都是攜帶電荷帶的粒子，又簡(jiǎn)稱(chēng)為載流子。電子、空穴對(duì)又會(huì)復(fù)合而消失，本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)量很少，導(dǎo)電能力差，不能直接用作半導(dǎo)體器件。
本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
（二）N型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中加入微量的５價(jià)元素
自由電子成為多數(shù)載流子，即多子；空穴是少數(shù)載流子，即少子。
硅中摻磷形成N型半導(dǎo)體
三）P型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中加入微量的３價(jià)元素
空穴成為多數(shù)載流子，即多子；自由電子為少數(shù)載流子，即少子。
硅中摻硼形成P型半導(dǎo)體
注意，Ｎ型和Ｐ型半導(dǎo)體，都不是帶電體，對(duì)外不顯電性。
四、ＰＮ結(jié)
在一塊完整的本征半導(dǎo)體上，采用摻雜工藝使一邊為N型半導(dǎo)體，一邊為P型半導(dǎo)體，在交界面上形成一個(gè)特殊的帶電薄層，稱(chēng)之為PN結(jié)。
擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
（一）PN結(jié)的形成：
P型半導(dǎo)體多子為空穴，少子為電子；N型半導(dǎo)體多子為電子，少子為空穴。由于存在載流子的濃度差將發(fā)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)→在交界面正負(fù)離子積累而形成很薄的空間電荷區(qū)（又稱(chēng)耗盡層）→空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)，方向由N指向P。內(nèi)電場(chǎng)有利于少子向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)，這種在電場(chǎng)力的作用下載流子的定向運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng)，當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，就形成了PN結(jié)。
PN結(jié)的形成
（二）PN結(jié)的導(dǎo)電特性
1、P端接電源的正極，N端接電源的負(fù)極稱(chēng)為PN結(jié)正偏，回路中形成由擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的正向電流，數(shù)值隨外加電壓升高而迅速增大，燈泡會(huì)亮。PN結(jié)如同開(kāi)關(guān)合上，呈現(xiàn)很小的電阻，稱(chēng)為導(dǎo)通狀態(tài)。
PN結(jié)正偏
2、P端接電源的負(fù)極，N端接電源的正極稱(chēng)為PN結(jié)反偏，少子的漂移運(yùn)動(dòng)形成很小的反向電流，此時(shí)燈泡滅。如同開(kāi)關(guān)打開(kāi)，結(jié)電阻很大， PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)反向電壓加大到一定程度，PN結(jié)會(huì)發(fā)生擊穿而損壞。
PN結(jié)反偏
結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ姷奶匦?/span>
（三）PN結(jié)的電容
PN結(jié)在正偏時(shí)形成擴(kuò)散電容，反偏時(shí)形成勢(shì)壘電容。容量很小，在PF數(shù)量級(jí)。
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